Page 18 - 電子學(下)

8 電子學 下

例題 7-1
٤˶ۨ .04'&5 ᔷ୅ཥኬ g ٙࠇၑ
m
有一個 N 通道空乏型 MOSFET，I DSS = 12mA，V = –4V，當 V = –2V 時的轉移電導 g m
GS
P
為何？
×
解 g = 2 × I DSS ×− V GS ) = 212mA ×− −2V ) = 3mA V
/
1 (
1 (
m
V P V P 4V −4V
練習 1
有一個 N 通道空乏型 MOSFET，I DSS = 12mA，V = –3V，當 V = –1.5V 時的轉移電導 g m
P
GS
為何？ (A) 1mA/V (B) 2mA/V (C) 3mA/V (D) 4mA/V。
答

例題 7-2
ᄣ੶ۨ .04'&5 ᔷ୅ཥኬٙࠇၑ
2
有一個 N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓 V = 2V，K = 0.5mA/V ，當 V = 3V 時的轉
GS
t
移電導 g 為何？
m
V
(
/
/
解 g = 2 K ×( V GS − V = ×2 05) . mA V 2 × 3V − 2 ) =1mAV
m
t
練習 2
2
有一個 P 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓 V = –4V，K = 1mA/V ，當 V = –5V 時的轉
GS
t
移電導 g 為何？ (A) 1mA/V (B) 2mA/V (C) 3mA/V (D) 4mA/V。
m
答

例題 7-3
μeg er ʘᗫڷό
d
m
有一個 MOSFET 放大器，若 g = 5mA/V，r = 100kΩ，則放大因數 μ 為何？
m
d
解 μ = g × r = 5mA/V × 100kΩ = 500
m d
練習 3

有一個 MOSFET 放大器，若放大因數 μ = 100，r = 1MΩ，則轉移電導 g 為何？
d
m
(A) 0.1mA/V (B) 0.2mA/V (C) 0.3mA/V (D) 0.4mA/V。
答