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第 7 章 金場半場效電晶體（MOSFET）放大電路 7

而實際上輸出特性曲線會些許上揚，此種因 V DS 的變化造成通道有效長度的改

變，稱為通道長度調變（Channel Length Modulation, CLM），即為 MOSFET 的歐力

效應（Early Effect），若考慮歐力效應則交流汲極電阻 r 的表示式為：
d
V
r = I A
d
DQ
ʮό

V
r = A
V 為歐力電壓其典型值約 50V ～ 100V，上式類似 BJT 的交流輸出電阻 o I CQ 。
A

三 放大因數 μ

放大因數 µ 的參數定義為：當汲極電流 I （i ）保持定值時，汲、源極間電壓
D
d
V （v ）的變化量與閘源極間電壓 V （v ）變化量的比值，即：
GS
DS
gs
ds
∆V ∆v
µ = DS = ds
∆V I D = 定值 ∆v i d =0
GS
gs
ʮό
四 參數的關係式

轉移電導 g 、交流汲極電阻 r 與放大因數 μ 由參數的定義，可以得知三者之關
m
d
係如下：

μ = g × r d
m
ʮό

MOSFET 為 V GS 控制 I 的電壓控制型元件，其電壓放大率 μ = g × r ；而 BJT
m
D
d
的共射極組態為 I 控制 I 的電流控制型元件，兩者之關係式為電流放大率 β，其中 β
C
B
= g × r ，若為 BJT 的共基極組態為 I 控制 I 的電流控制型元件，兩者之關係式為
C
m
E
π
電流放大率 α，即 α = g × r 。由此可以得知 MOSFET 與 BJT 有許多雷同之處，同
m
e
學們在學習 MOSFET 的單元，不妨先翻閱上冊的 BJT 章節，相信在學習上有事半功
倍的效果。