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第 7 章 金場半場效電晶體（MOSFET）放大電路 3

一 共源極放大器（CS）的原理與各點波形

圖 7-2(a) 為輸入的交流小信號波形，而圖 7-2(b) 為閘源極電壓 v GS 的波形，該波

形為直流電壓 V GS 再疊加一個交流電壓 v ，該電壓（v ）經電壓放大後在汲極端點
GS
gs
的電壓波形如圖 7-2(c) 所示，由圖 7-2(c) 可以得知汲極電壓 v 的直流準位為 V -I
D
DD
D
× R ，再疊加一個反相放大的交流電壓，該信號的直流電壓經隔離電容器 C 後，僅
D
D
通過交流信號如圖 7-2(e) 所示。
二 共汲極放大器（CD）的原理與各點波形

共汲極放大器與共源極放大器的分析雷同，由圖 7-2(d) 可以得知源極電壓 v 的
S
直流準位為 I × R ，再疊加一個非反相放大的交流電壓，該信號的直流電壓經隔離
S
D
電容器 C 後，僅通過交流信號如圖 7-2(f) 所示。
S

三 工作點位置與輸出波形的關係

MOSFET 的共源極（CS）偏壓組態類似於 BJT 的共射極（CE）偏壓組態，都具

有將電壓反相放大的特性，因此，當工作點 Q 太靠近歐姆區，可能造成輸出電壓的

負半週被截波，如圖 7-3(a) 所示；相對的，當工作點 Q 太靠近截止區，可能造成輸
出電壓的正半週被截波，如圖 7-3(b) 所示。

正半週進入歐姆區 v i 輸入波形
負半週進入截止區
v i
v i v i 輸入波形
i D I D
i D I D
V DD 0
RD + RS V DD
t I DQ RD + RS 0
V GSQ
i d 輸出波形 i d 輸出波形 Q
t I DQ V GSQ
V DS
V DSQ V DD V DS
輸出電壓的 0 V DSQ V DD
負半週被截波 v DS 0 v DS
輸出電壓的
正半週被截波
v DS 輸出波形 v DS 輸出波形

(a) 工作點靠近歐姆區 (b) 工作點靠近截止區

圖 7-3 共源極放大器的工作點與輸出電壓的波形