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第 7 章 金場半場效電晶體（MOSFET）放大電路 5

一 轉移電導 g m

轉移電導 g 的參數定義為：當汲極與源極間電壓 V （v ）保持定值時，汲極
ds
m
DS
電流變化量 ΔI （Δi ）與閘極與源極間電壓的變化量 ΔV （Δv ）之比值，單位
GS
D
d
gs
為西門子（S）或安培 / 伏特（A/V）。
I ∆ i ∆
g = D = d
m
∆ V V DS = 定值 ∆ v v ds =0
GS
gs
ʮό
V
空乏型 MOSFET 的汲極電流方程式 I = I DSS ×(1 − V GS ) ，對公式中的 V GS 進行繁
2
D
P
瑣的微分運算後，經整理後結果如下：（由於 g 沒有負值，故 V 加絕對值）
m
P

(
(
轉移電導 g =− 2 × V I DSS × 1 − V GS ) = 2 × V I DSS × 1 − V GS )
m
V
V
P
P
P
P
ʮό
V V I
又空乏型 MOSFET 的汲極電流方程式 I = I DSS ×(1 − V GS ) ，因此(1− V GS ) = I D ，
2
D
P
代入公式 7-2，可得到轉移電導 g 的另一個表示式如下： P DSS
m
2
轉移電導 g = V × I × I DSS
m
D
P
ʮό
2
而增強型 MOSFET 的汲極電流方程式 I = K × (V – V ) ，對公式中的 V GS 進行
t
D
GS
繁瑣的微分運算，經整理後結果如下：
轉移電導 g = 2K × (V – V )
t
GS
m
ʮό

2
且增強型 MOSFET 的汲極電流方程式 I = K × (V – V ) ，因此V − V = I K D ，
t
D
GS
GS
t
代入公式 7-4，可得到轉移電導 g 的另一個表示式如下：
m
I
轉移電導 g = 2 K × D =× KI
2
×
m K D
ʮό