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第 7 章 金場半場效電晶體（MOSFET）放大電路 11

7-2 共源極放大電路

共源極組態有固定偏壓電路、分壓式偏壓電路、自給偏壓電路（增強型 MOSFET 不

適用）與汲極回授偏壓電路（空乏型 MOSFET 不適用）等四種電路，其中汲極回授偏壓
電路需運用米勒定理分析，已超過課程範圍，因此不予以探討，以下皆以 N 通道空乏型

MOSFET 為例，分別說明如下：

7-2-1 固定偏壓電路

固定偏壓電路同時適用於空乏型 MOSFET 與增強型 MOSFET，不同之處在於空
乏型 MOSFET 的閘源極電壓 V GS 可以為逆向或順向偏壓，而增強型 MOSFET 的閘源

極電壓 V GS 為順向偏壓，兩者的小信號模型相同，說明如下：

VDD

圖 7-7(a) 為 N 通道空乏型 MOSFET 的固定偏 io
RD
壓電路，若該電路操作於夾止區，可求出轉移電導 C o
vo
g ，且將電路中的電壓源以及電容器短路後，繪製 ii C i
m
vi
諾頓等效電路的小信號模型，如圖 7-7(b)(c) 所示，
RG
各項交流特性分析如下：
Z o
－
VGG
Z i ＋
(a) 固定偏壓電路

諾頓等效模型 諾頓等效模型
ii G D ii G D
vi vo vi vo
＋ ＋
io io
v gs g m ×vgs v gs g m ×vgs rd
RG RD RG RD
－ －
′ S ′ S
Zi Zi Z o Zi Zi Z o

(b) 忽略 r d 的小信號模型 (c) 考慮 r d 的小信號模型
圖 7-7 N 通道空乏型 MOSFET 固定偏壓電路

註 空乏型 MOSFET 與增強型 MOSFET 的轉移電導 g m 兩者的計算式不同，但小信號模型
相同。