Page 16 - 電子學(下)

6 電子學 下

轉移電導 g 相當於轉移特性曲線上的切線斜率，圖 7-5(a) 為 N 通道空乏型
m
MOSFET 的轉移電導 g ，而圖 7-5(b) 為 N 通道增強型 MOSFET 的轉移電導 g 。
m
m

i D 切線斜率
2I DSS V GS
g = × (1− )
V
V
m
P
P
∆i D
v GS
V P ∆v GS

(a) N 通道空乏型 MOSFET (b) N 通道增強型 MOSFET
圖 7-5 轉移電導 g m

由於空乏型 MOSFET 可操作於增強工作與空乏工作，增強工作的汲極電流

V
I = K × (V – V ) ，而空乏工作的汲極電流 I = I DSS ×(1 − V GS ) ，兩者之間的汲極電流公
2
2
D
D
GS
t
P
式非常相似（皆為二次方程式），將D-MOSFET較複雜的汲極電流方程式，化簡為E-MOSFET
V
V
較簡單的汲極電流方程式之形式，因此： I = K ×( V − ) 2 = I DSS ×(1 − V GS ) ，又可改寫
2
t
D
GS
P
2
V
2
P
GS
為 K ×( V − ) 2 = I × ( V − V ) 2 ，因 (V – V ) = (V – V ) ，所以：
GS
DSS
t
V P 2 GS t P GS
I
K = DSS
V 2
P
ʮό
二 交流汲極電阻 r d
交流汲極電阻 r 的參數定義為：當閘源極間的電壓 V （v ）保持定值時，汲、
d
gs
GS
源極電壓的變化量 V （v ）與汲極電流的變化量 I （i ）的比值，單位為歐姆（Ω）。
DS
D
ds
d
∆ V ∆ v
r = DS = ds
d
I ∆ V S = 定值 i ∆ v gs =0
G
D
d
ʮό
在上冊的第六章曾經介紹過理想的 MOSFET，即汲源極電壓 V DS 增加時汲極 I D
電流維持不變，其輸出特性曲線為一水平線，因此理想的交流汲極電阻 r = ∞。
d