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4 電子學 下

共汲極放大器（CD）與共閘極放大器（CG）兩者的輸出電壓與輸入電壓同相，
因此當工作點 Q 太靠近歐姆區，可能造成輸出電壓的正半週被截波；相對的，當工作

點 Q 太靠近截止區，可能造成輸出電壓的負半週被截波，因此工作點 Q 宜選擇在負載
線的中點，各種放大器的工作點 Q 的位置與輸出波形兩者的關係，整理如表 7-1 所示。

表 7-1 各種放大器的工作點 Q 的位置與輸出電壓波形的關係

工作點 Q 位置
靠近歐姆區 靠近截止區
組態
共源極放大器（CS） 負半週可能失真 正半週可能失真

共汲極放大器（CD） 正半週可能失真 負半週可能失真
共閘極放大器（CG） 正半週可能失真 負半週可能失真

7-1-2 MOSFET 交流電路模型

圖 7-4(a)(b) 為 MOSFET 操作於夾止區的低頻小信號模型，其中圖 7-4(a) 為電壓控制

電流源（Voltage Controlled Current Source, VCCS）的相依電流源模型，此模型相當於基
本電學提到的諾頓等效模型；而圖 7-4(b) 為電壓控制電壓源（Voltage Controlled Voltage

Source, VCVS）的相依電壓源模型，此模型相當於戴維寧等效模型。

我們可以運用這兩個模型來分析放大器的各種低頻交流特性，這兩個模型同時適用

於空乏型與增強型 MOSFET，由於在閘極與源極間有二氧化矽層隔離，因此閘源極間的
電阻 r 可以視為無限大，即視為開路狀態。
gs

i d rd i d
G D G D
＋ ＋
v gs g ×vgs rd v gs μ×vgs －
m
＋
rgs = ∞ － rgs = ∞ －

S S

(a) 諾頓等效模型 (b) 戴維寧等效模型

圖 7-4 MOSFET 操作於夾止區的低頻小信號模型