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16 電子學 下

7-2-2 分壓式偏壓電路（有旁路電容器 C ）
S

VDD
分壓式偏壓電路同時適用於空乏型 MOSFET 與
增 強 型 MOSFET， 圖 7-8(a) 所 示 為 N 通 道 空 乏 型 io RD

MOSFET 的分壓式偏壓電路，分析步驟與上述的固定偏 R1 C o vo
壓電路相同，其中源極電阻 R 提供了直流電流負回授 ii C i
S
vi
的路徑，具有穩定直流工作點的功用，而旁路電容器 C S Z o

具有提高交流電壓增益的效果，其諾頓等效電路的小信 R2 RS C S
號模型如圖 7-8(b)(c) 所示，各項交流特性分析如下： Zi

(a) 有旁路電容 C S 的分壓式偏壓電路

諾頓等效模型 諾頓等效模型
ii G D ii G D
vi vo vi vo
＋ ＋
io io
v gs g m ×vgs v gs g m ×vgs rd
R1 // R2 RD R1 // R2 RD
－ －
S S
Zi Zi ′ Z o Zi Zi ′ Z o

(b) 忽略 r d 的小信號模型 (c) 考慮 r d 的小信號模型

圖 7-8 N 通道空乏型 MOSFET 分壓式偏壓電路

一 輸入阻抗 Z i

由圖 7-8(b) 以及圖 7-8(c) 可以得知，無論考慮或忽略 r ，其輸入阻抗 Z 為分壓
i
d
電阻 R 、R 與從閘極 G 看入之電阻 Z ' 三者並聯之結果，表示式如下：
i
1
2
'
Z = ( R // R ) // Z = ( R // R )// ∞= R // R 2
i
i
2
1
1
1
2
ʮό
二 輸出阻抗 Z o
分析方式與上述的固定偏壓電路相同，如圖 7-8(b) 所示，輸出阻抗 Z 的表示式
o
如下：

忽略 r 的輸出阻抗 Z =∞ // R = R D
d
D
o
ʮό