Page 30 - 電子學含實習

Chapter 7 xږः̒ఙࣖཥ౺᜗ (MOSFET) ׳ɽཥ༩

11. νྡ (7) הͪʘཥ༩dMOSFET ʘᑗޢཥᏀ€threshold voltageV = 1Vdਞ
T
2
ᅰ K =0.4mA / V dʔϽᅇӝ฽፩̈ཥڜdۆ V / V ߒމОk
o
i
(A) –12.5c(B) –9.9c(C) –8.3c(D) –6.4f 103 統測
＋10 V +20V
4kΩ
V
o
D 20kΩ 2kΩ V (t)
V i G o
V (t)
i
10 MΩ S

20kΩ
3V 1kΩ C B
＋
－

ྡ (7) ྡ (8)

12. νྡ (8) הͪʘ FET ׳ɽኜཥ༩ʕdA = V (t) / V (t) މʃڦ໮ʘཥᏀᄣूd༊
o
i
v
ਪ୅ৰࣙ༩ཥ࢙ C ܝdՉ | A | ၾ୅ৰۃˢ༰ϞОʔΝk
v
B
(A) ᜊʃc(B) ᜊɽc(C) ʔաᅂᚤc(D) ฽׌ҷᜊf 101 電機
13. ɨΐ̬၇Պۨٙ FET ΍๕฽਋Ꮐཥ༩ʕdV GS(t) މ FET ኬஷٙᑗࠢཥᏀdਞᅰ
2
K ٙఊЗމ mA/V dV DSQ މ FET ٙӝ฽ၾ๕฽ගٜٙݴʈЪཥᏀd৿ண̬ࡈ
FET ٙᆄɢཥᏀޫމ ∞dA = v (t) / v (t) މʃڦ໮ཥᏀᄣूd༊ਪɨΐО٫̙
v
o
i
੻௰ɽٙཥᏀᄣू | A | k 101 電機
v
+9V +10V

3kΩ
v (t) 3kΩ
o
1MΩ v (t)
o
v (t)
i
(A) (B) 2
K＝1mA/V 2 v (t) K＝0.4mA/V
i
5MΩ V GS(t) ＝1V V GS(t) ＝1V
1MΩ
2.5V 2.5kΩ
＋
－
+5V
+8V
K＝0.8mA/V 2 3kΩ
V GS(t) ＝+2.5V 3kΩ v (t)
o
v (t) 5MΩ 5MΩ
o
(C) ＋ (D) ＋
v (t) V DSQ ＝2V v (t) V DSQ ＝2V
i
i
－ －
5MΩ K＝0.7mA/V 2
1kΩ V GS(t) ＝1V

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