Page 29 - 電子學含實習

ཥɿኪўྼ୦€ɨ

5. ᗫ׵ږः̒ఙࣖཥ౺᜗€MOSFET׳ɽཥ༩੬Ԉʘɧ၇ਿ͉ݖ࿴d̍ўj

΍๕฽€Common Sourcee΍ӝ฽€Common Draine΍ཛྷ฽€Common
GatedۆɨΐાࠑО٫͍ᆽkc(A) ΍๕฽׳ɽཥ༩ʕd፩ɝཥᏀڦ໮຾͟

ཛྷ฽৔ɝd፩̈ཥᏀڦ໮຾͟ӝ฽՟̈d˲፩̈ၾ፩ɝཥᏀڦ໮֛̀ึΝ޴Зc

(B) ΍ཛྷ฽׳ɽཥ༩ʕd፩̈ၾ፩ɝཥᏀڦ໮ʘ޴Зટڐd˲ՈϞ༰Эʘ፩ɝ
ڜҤc(C) ΍ӝ฽׳ɽཥ༩ʕdՈϞЭ፩ɝڜҤd˲ཥᏀᄣूɽ׵ 1c(D) ΍

ӝ฽׳ɽཥ༩ʕdՈϞ৷፩ɝڜҤၾЭ፩̈ڜҤd̙ቇ͜׵ڜҤʸৣʘᏐ͜d
˲፩̈ཥᏀڦ໮ၾ፩ɝཥᏀڦ໮޴Зࢨߒ 180°f 106 資電

6. ྡ (5) ʘཥ༩d߰ MOSFET ཥ౺᜗ʘᔷ୅ཥኬ g = 2mA/Vdӝ฽ཥڜ r =
d
m
50kΩdۆϤཥ༩ʘʃৃ໮ཥᏀᄣू V / V ߒމОk
o
i
(A) 0.79c(B) 0.91c(C) 1.09c(D) 1.58f 105 統測

+V DD

＋V DD 10kΩ
6MΩ i o
V o
i
20kΩ V i 10kΩ
i
V i
V o
20kΩ 6MΩ
6kΩ 3kΩ 5kΩ

ྡ (5) ྡ (6)

7. ɨΐϞᗫఙࣖཥ౺᜗׳ɽኜʘાࠑО٫፹Ⴌk

(A) ΍๕฽€CS׳ɽኜ፩ɝڜҤɽdቇΥ፩ɝཥᏀৃ໮c(B) ΍ཛྷ฽€CG
׳ɽኜ፩ɝڜҤʃdቇΥ፩ɝཥݴৃ໮c(C) ΍ӝ฽€CD׳ɽኜ፩̈ၾ፩ɝ

ཥᏀৃ໮Ν޴dቇΥЪཥᏀ׳ɽኜc(D) ΍ӝ฽€CD׳ɽኜ፩ɝڜҤɽdቇ

Υ፩ɝཥᏀৃ໮f 105 資電
8. ݔ N ஷ༸ᄣ੶ۨ MOSFET ׳ɽཥ༩dMOSFET ʘᑗޢཥᏀ€threshold voltage

2
V =2Vdਞᅰ K = 0.3mA / V d߰ MOSFET ʈЪ׵Ѱ˟ਜdཛྷ - ๕฽ගཥᏀ V
GS
T
= 4Vdۆᔷ୅ཥኬ g މεˇ mA / V kc(A) 0.6c(B) 1.2c(C) 1.8c(D) 2.4f
m
9. νྡ(6)הͪʘ׳ɽཥ༩d߰MOSFETʈЪ׵Ѱ˟ਜd ˲ᔷ౬ཥኬg = 0.5mA / Vd
m
ʔϽᅇӝ฽ʹݴഃࣖ፩̈ཥڜdۆ V / V ߒމОk
o
i
(A) –1.6c(B) –2.5c(C) –6.8c(D) –12.3f 104 統測

10. וટɪᕚdi / i ߒމОk
i
o
(A) 750c(B) 55c(C) –55c(D) –750f 104 統測
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